[種目] 삼성전자, SK하이닉스

○ * 삼성전자 HBM4 올해 말 테이프아웃(설계완성, 파운드리에 설계도 전달). 내년초 시제품 고객사에 전달 

* 로직다이는 자사 4나노 파운드리, 코어다이는 1c디램 적용

* 하이닉스도 유사한 타임라인

* 하이닉스는 로직다이는 TSMC 5/12나노, 코어다이는 1b와 1c 중 고민

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삼성전자, 올해 말 HBM4 테이프아웃... 코어 다이 1b 건너 뛰고 1c 사용

삼성전자가 올해 말 6세대 HBM4 테이프아웃(Tape-out) 작업에 들어가는 것으로 16일 확인됐다. 내년 말 HBM4 12단 제품 양산을 위한 사전 작업이다.

■ IDM의 HBM4 개발 현황

테이프아웃은 반도체 설계 마지막 단계임

설계 도면을 반도체 파운드리에 전달하는 것을 의미. 포토마스크도 함께 만들기 때문에 마스크 테이프아웃라고도 부름

HBM4 테스트 제품은 이르면 내년 초에 나올 것으로 예상됨. 테이프아웃 이후 최종 테스트 제품이 나오는 데 3~4달이 걸림

삼성전자는 초도 생산된 HBM4 제품의 동작 검증 이후 설계 개선과 공정 개선을 이뤄나갈 것으로 전해졌음. 이후 주요 고객사 대상으로 제품 샘플링을 진행할 것으로 보임

SK하이닉스도 내년 하반기 HBM4 12단 제품 양산을 목표로 하고 있음

양사 모두 HBM4부터는 로직 다이를 D램 공정이 아닌, 파운드리 공정으로 생산함

삼성전자는 자사 4나노 파운드리 공정을, SK하이닉스는 1b D램과 1c D램 사이에서 저울질 하고 있음

SK하이닉스 내부 관게자는 "당초 내부에서는 HBM4 코어 다이로 1b D램을 사용하는 것으로 확정했다"며 "삼성전자가 HBM4에 1c D램을 활용한다는 소식을 전해듣고, 내부에서 1b D램을 쓸지, 1c D램을 쓸지 고민 중"이라고 설명함

삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E까지 각각 1a D램과 1b D램을 사용했음

삼성전자가 HBM4 코어 다이로 1c D램을 사용하는 만큼, 관련 투자도 뒤따를 것으로 예상됨

평택 P4 공장에 관련 장비가 들어설 것으로 보임. SK하이닉스는 HBM4 코어 다이를 무엇으로 할 건지에 따라 1c D램 투자 규모가 결정 될 예정임

다만, 업계에서는 SK하이닉스가 최근 M16에 1b D램 마이그레이션을 진행하고 있는 만큼, HBM4에 1b D램을 코어 다이로 활용할 것으로 내다보고 있음

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=29675